Eine weitere Bestätigung der erhöhten Speicherkapazität in der nächsten Generation der Apple-Smartphones veröffentlichte der taiwanesische Ressource DigiTimes, bekannt für seine Leaks aus dem Lager der chinesischen Hersteller.
Die Quellen von DigiTimes weisen darauf hin erhöhte Nachfrage auf den Arbeitsspeicher durch ein gesteigertes Mobile DRAM in High-End-Smartphones der nächsten Generation, einschließlich der folgenden iPhone. Gibt es eine Zunahme des Volumens der RAM von 2 auf 3 GB im neuen iPhone.
DigiTimes ist nicht festgelegt, berührt ob dieses Aufbau-RAM alle iPhone-Modelle nur 7 oder ältere 5,5-Zoll-Version. Aber auch andere Quellen und frühere Gerüchte lassen vermuten, dass mehr Speicher erhält nur das iPhone 7 Plus.
Wir werden erinnern, iPhone 7 wird die zehnte Generation von Apple-Smartphones. Kann es sein, dass die wichtigste änderung im Design des neuen iPhone wird der Remote-Anschluss für Kopfhörer und einem großen Redesign wird am Ende auf das Jahr 2017, wenn Apple feiert 10 Jahre seit der Veröffentlichung des ersten iPhone. Smartphones gutgeschrieben geringere Dicke, beschleunigte Apple-Prozessoren A10, mindestens 32 GB interner Speicher, statt der bisherigen 16 GB, eine umfangreiche Batterie, einen verbesserten Schutz gegen Feuchtigkeit, beschleunigte LTE-und Wi-Fi. Im High-End-Modell voraussichtlich auch 3 GB RAM und Dual-Kamera. Vielleicht auch das verschwinden eines Standard-3,5-mm-Kopfhörer-buchsen Universal Lightning. Ankündigung voraussichtlich Anfang September.