Mens der i Rusland, forberedelse til overgangen til den standard, 5G mobil kommunikation, Institut for elektroniske teknologi, Voronezh, der indgår i holdingselskabet Ruselectronics, begynder at frigive 5G-effekt transistorer.
Virksomheden rapporterede, at output-effekt af de enheder, der varierer fra 5 til 50 W, gevinst i kraft fra 9 til 13 dB drain effektivitet — ikke mindre end 45% på en test frekvens på 4 GHz og 2,9 GHz. Transistorer fremstillet af Voronezh research Institute, fuldt ud indbyrdes udskiftelige med import analoger derfor velegnet til enhver type udstyr uden behov for yderligere forbedringer. Indenlandske transistorer har allerede været testet på radiostationer, radar udstyr, lufthavne og droner, hvor det viste fremragende ydeevne. Nu er produkter fra Voronezh research Institute testet tyve forskellige virksomheder.
Gennem brug af transistorer baseret på galliumnitrid, udviklere formået at reducere størrelsen af strømforsyninger, adaptere og opladere. På grund af reducerede dimensioner og reduceret vægt, så nye produkter kan anvendes i forskellige enheder, transport og elektroteknik.
Det vil producere 5G-effekt transistorer
Vyacheslav Larionov